2024欢迎访问##扬州SED-2WGC5单相有功功率变送器厂家
发布用户:yndlkj
发布时间:2024-12-27 00:04:58
2024欢迎访问##扬州SED-2WGC5单相有功功率变送器厂家
湖南盈能电力科技有限公司,专业仪器仪表及自动化控制设备等。电力电子元器件、高低压电器、电力金具、电线电缆技术研发;防雷装置检测;仪器仪表,研发;消防设备及器材、通讯终端设备;通用仪器仪表、电力电子元器件、高低压电器、电力金具、建筑材料、水暖器材、压力管道及配件、工业自动化设备销;自营和各类商品及技术的进出口。
的产品、的服务、的信誉,承蒙广大客户多年来对我公司的关注、支持和参与,才铸就了湖南盈能电力科技有限公司在电力、石油、化工、铁道、冶金、公用事业等诸多领域取得的辉煌业绩,希望在今后一如既往地得到贵单位的鼎力支持,共同创更加辉煌的明天!
工业物联网时代,在为工业自动化应用选择控制器时,除了基本的参数之外,还应该考虑数据、通讯和高速控制功能。大多数工业控制器,如可编程逻辑控制器(PLC)和可编程自动化控制器(PAC),可以基本功能,如离散和模拟输入/输出(I/O)连接的实时控制。事实上,这种类型的功能是大多数控制器自带的,关注点主要是能的I/O点数量的能力,通常情况下这很容易确定。为了更好的适应工业物联网的实施,在选购工业控制器时,企业还需要考虑其它先进功能,如数据、通信和高速控制等。
带色码的数字波形显示数字定时波形看上去与模拟波形非常类似,但有一点除外,即它只显示逻辑值高和低。定时采集分析的重点通常是确定具体时点的逻辑值,测量一个或多个波形上边沿跳变之间的时间。为使分析变得更简便,泰克MSO系列在数字波形上用蓝色显示逻辑值低,用绿色显示逻辑值低,即使看不见跳变时,用户仍能查看逻辑值。波形标记颜色还与探头色码一致,可以更简便地查看哪个信号与哪个测试点对应。数字定时波形可以分组,建立一条总线。
受干扰的CAN总线如何隔离CAN总线隔离主要包含两个方面,通信隔离和供电隔离。总线隔离ZLG致远电子面向车载CAN总线隔离防护了完善的解决方案——器件车规级隔离CAN收发器。高集成度模块方案可器件车规级的CTM1051HQ全隔离CAN模块,满足汽车应用需求,具体参数如下所示:元器 工作温度范围覆盖-40~120℃;单网络 多可连接110个节点;外壳及灌封材料符合UL94V-0标准;具有极低电磁辐射和高的抗电磁干扰性;搭配简单外围实现差模±2kV,共模±4kV的浪涌抗干扰度;裸机可通过接触±8kV,空气±15kV的静电防护。
测控技术与仪器是一门研究信息的获取和,以及对相关要素进行控制的理论与技术。“测控技术与仪器”是指对信息进行采集、测量、存储、传输、和控制的手段与设备,包含测量技术、控制技术和实现这些技术的仪器仪表及系统。什么是测控技术?测控技术与仪器,是建立在精密机械、电子技术、光学、自动控制和计算机技术的基础上,主要研究各种精密测试和控制技术的新原理、新方法和新工艺。近年来,计算机技术在测控技术的应用研究中呈现出越来越重要的地位。
在潮湿的霉雨天,即使不使用仪器,也要定期通电打1~2小时,利用本机热量驱散潮气,在我国潮湿的南方使用中更要注意把仪器定期为每月一次,雨季时半月一次;使用过程中要注意散热:在良好的通风散热条件下,正常连续使用10~12小时是完全可以的,但机器内部的元器件和整件所承受的温度有一定的限制,故在机器使用时,不能让散热孔受阻,也不能用塑料罩等罩着放置于木箱中或放置在软垫褥上面以及离墙壁太近。注意在冬天使用时,仪器不要靠近火炉和暖气,建议机器在连续使用3~4小时后关闭电源冷却30分钟左右;定期对机子进行自校准通过校准可以及时发现存在的问题,并且可以有效降低因环境产生的测量误差。
LED作为第四代光源,具有节能、环保、安全、低功耗、高亮度等特点。在过去黄金1年的发展中,景观亮化、LCD背光、室外照明、户外大屏显示等应用在不同的时间段成为行业快速发展的驱动力。LED行业不断涌现的新应用会推动整个行业新一轮的发展。红外热像仪技术作为近年来备受关注的新兴检测技术,一直默默在幕后助力LED行业的发展。今天,小编将带您了解福禄克工业红外热像仪在LED的精彩应用。照明灯具表面发热检测LED灯罩表面温度分布决定了LED灯具内部散热状态,通过温度分布的检测可以发现LED灯具在正面散热设计中的缺陷,避免因温度过高而影响灯罩结构强度及散热性能。
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。